虽然过去十几年我国在芯片设计上已经处于世界前列,比如目前华为已经具备设计7纳米芯片的实力,但是我国的光刻机研发却跟不上芯片设计的步伐,所以出现了目前芯片行业两只脚一只长一直短的尴尬局面。
但即便是华为具备设计7纳米芯片的实力,按照目前华为的实力,它也不具备研发和生产高端光刻机的能力,因为光科技的生产和研发涉及多种技术,如果完全由我国企业提供这些技术,想要在短期之内研发出高端光刻机难度是非常大的,即便是对于华为这种科研实力非常强的企业来说也是一样。
不过好在最近几年我国在光刻机研发方面好消息不断传来。比如2018年8月份,清华大学的研究团队研发出了双工作台光刻机,这使得我国成为全球第二个具备开发双工作台光刻机的国家;随后中科院光电所研发成功紫外超分辨光刻机,该光刻机光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片;
2019年武汉光电国家研究中心的一家团队已经成功研制出一台9nm光刻机,该光刻机使用远场光学,雕刻最小线宽为9nm的线段,实现了从超分辨率成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。
总之,目前我国光刻机技术跟世界先进技术仍然有较大的差距,但是这种技术差距正在不断缩小,我相信在我国科研人员以及一些企业的共同努力之下,我国在不久的未来将可以自主生产中国高端的光刻机,从而摆脱西方国家对高端光刻机的技术垄断。